耐高溫壓力傳感器是為理解決在高溫環境下對各種氣體、液體的壓力停止丈量。主要用于丈量鍋爐、管道、高溫反響容器內的壓力、井下壓力和各種發起機腔體內的壓力、高溫油品液位與檢測、油井測壓等范疇。

目前，研討比擬多的高溫壓力傳感器主要有SOS，SOI，SiO2，Poly2Si等半導體傳感器，還有濺射合金薄膜高溫壓力傳感器、高溫光纖壓力傳感器和高溫電容式壓力傳感器等。半導體電容式壓力傳感器相比壓阻式壓力傳感器其靈活度高、溫度穩定性好、功耗小，且只對壓力敏感，對應力不敏感，因而，電容式壓力傳感器在許多范疇得到普遍應用。

根本組成及制造工藝：

硅電容式壓力傳感器的敏感元件是半導體薄膜，它能夠由單晶硅、多晶硅等應用半導體工藝制造而成。典型的電容式傳感器由上下電極、絕緣體和襯底構成。

當薄膜受壓力作用時，薄膜會發作一定的變形，因而，上下電極之間的間隔發作一定的變化，從而使電容發作變化。

但電容式壓力傳感器的電容與上下電極之間的間隔的關系是非線性關系，因而，要用具有補償功用的丈量電路對輸出電容停止非線性補償。

由于高溫壓力傳感器工作在高溫環境下，補償電路會遭到環境溫度的影響，從而產生較大的誤差。

基于模型辨認的高溫壓力傳感器，正是為了防止補償電路在高溫環境下工作產生較大誤差而設計的，其設計計劃是把傳感器件與放大電路別離，經過模型辨認來得到所測環境的壓力。高溫工作區溫度可達350℃。傳感器件由鉑電阻和電容式壓力傳感器構成。

高溫壓力傳感器由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構成。其中下電極位于厚支撐的襯底上。電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是應用各向異性腐蝕技術，在一片硅片上從正背面腐蝕構成的。上下電極的間隙由硅片的腐蝕深度決議。硅膜片和襯底應用鍵合技術鍵合在一同，構成具有一定穩定性的硅膜片電容壓力傳感器。

由于鉑電阻耐高溫，且對溫度敏感，選用鉑電阻，既能夠當普通電阻運用，又能夠作為溫度傳感器用以探測被測環境的溫度。